Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Preview
Add to "Quick Collection"
Description
Size
Format
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя
10.1021/nl504956s
#топологические изоляторы
#магнитные поля
#магнетосопротивление анизотропное
Title
Electrically tunable in-plane anisotropic magnetoresistance in topological insulator BiSbTeSe2 nanodevices
Creator
Sulaev, Azat
|
Shen, Shun-Qing
|
Cho, Soon Khuen
|
Zhu, Wei Guang
|
Feng, Yuan Ping
|
Eremeev, Sergey V.
|
Kawazoe, Yoshiyuki
|
Shen, Lei
|
Wang, Lan
|
Zeng, Minggang
Contributor
Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики металлов
Date
2015
DOI
10.1021/nl504956s
Description
We report tunable in-plane anisotropic magnetoresistance (AMR) in nanodevices based on topological insulator
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Физический факультет
Identifier
смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type
статьи в журналах
Source
Nano letters. 2015. Vol. 15, № 3. P. 2061-2066
Language
eng
Created: 02-03-2016
1923 Visitors
1935 Hits
5 Downloads
Физический факультет
Electrically tunable in-plane anisotropic magnetoresistance in topological insulator BiSbTeSe2 nanodevices
^ DIV >