Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя
10.1021/nl504956s
Title
Electrically tunable in-plane anisotropic magnetoresistance in topological insulator BiSbTeSe2 nanodevices
Creator
Sulaev, Azat
Creator
Shen, Shun-Qing
Creator
Cho, Soon Khuen
Creator
Zhu, Wei Guang
Creator
Feng, Yuan Ping
Creator
Eremeev, Sergey V.
Creator
Kawazoe, Yoshiyuki
Creator
Shen, Lei
Creator
Wang, Lan
Creator
Zeng, Minggang
Contributor
Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики металлов
Subject
топологические изоляторы
магнитные поля
магнетосопротивление анизотропное
Date
2015
DOI
10.1021/nl504956s
Description
We report tunable in-plane anisotropic magnetoresistance (AMR) in nanodevices based on topological insulator
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Физический факультет
Identifier
vtls:000525709
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000525709
Type
статьи в журналах
Source
Nano letters. 2015. Vol. 15, № 3. P. 2061-2066
Language
eng
1603 Visitors
1609 Hits
5 Downloads
Preview
Физический факультет
Electrically tunable in-plane anisotropic magnetoresistance in topological insulator BiSbTeSe2 nanodevices
^ DIV >