Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии	2 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#теллурид кадмия ртути

#МДП-структуры

#молекулярно-лучевая эпитаксия

Title: Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Creator: Войцеховский, Александр Васильевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Варавин, Василий Семенович
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Якушев, Максим Витальевич
|
Сидоров, Юрий Георгиевич
|
Сидоров, Георгий Юрьевич
|
Несмелов, Сергей Николаевич
Contributor: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-: Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Date: 2015

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Сибирский физико-технический институт | Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 135
Language: rus

Created: 18-12-2015

2892 Visitors

2563 Hits

364 Downloads

Сибирский физико-технический институт

Радиофизический факультет Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии