Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K	897 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K
Creator: Voytsekhovskiy, Alexander V.
|
Dzyadukh, Stanislav M.
|
Gorn, Dmitriy Igorevich
|
Nesmelov, Sergey N.
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
-: Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Date: 2015

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Научное управление | Сибирский физико-технический институт | Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т.. М. [и др.], 2015. Т. 2. С. 739-740
Language: rus