Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy	797 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.1016/j.tsf.2013.11.014

Title: Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy
Creator: Voytsekhovskiy, Alexander V.
|
Nesmelov, Sergey N.
|
Dzyadukh, Stanislav M.
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Date: 2014
DOI: 10.1016/j.tsf.2013.11.014

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Сибирский физико-технический институт
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Thin solid films. 2014. Vol. 551. P. 92-97
Language: eng

Created: 05-02-2014

1154 Visitors

1159 Hits

7 Downloads

Радиофизический факультет Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy