В статье приводится обзор работ по созданию термофотоэлектрических преобразователей (ТФЭ) на основе полупроводниковых наногетероструктур. Рассматриваются наиболее важные технические аспекты ТФЭ, а также перспективы развития полупроводниковых структур для создания фотодетекторов с заданным диапазоном чувствительности.