Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 12 Results

Showing items 1 - 12 of 12.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Dependence of Ge/Si avalanche photodiode performance on the thickness and doping concentration of the multiplication and absorption layers
Authors: Deeb, Hazem | Khomyakova, Kristina I. | Kokhanenko, Andrey P. | Douhan, Rahaf M. H. | Lozovoy, Kirill A.
Source: Inorganics. 2023. Vol. 11, № 7. P. 303 (1-15)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: In this article, the performance and design considerations of the planar structure of germanium on silicon avalanche photodiodes are presented. The dependences of the breakdown voltage, gain, andwidth ... More
Add   Dark current and detectivity of multilayer Ge/Si photodetector with quantum dots
Authors: Douhan, Rahaf M. H. | Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A.
Source: Pulsed lasers and laser applications AMPL-2021 : the 15th International conference, September 12-17, 2021, Tomsk, Russia : abstracts. Tomsk, 2021. P. 19-20
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: Since the demonstration of molecular beam epitaxy which widened the ability to establish more applications based on semiconductor materials, and after the big success of quantum well structures for in ... More
Add   Theoretical and experimental comparison of multilayer Ge/Si photodetectors with quantum dots
Authors: Douhan, Rahaf M. H. | Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A. | Deeb, Hazem
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 223-224
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: The work discusses multilayer infrared photodetectors with quantum dots of germanium on silicon. It compares the theoretical calculations results of the dark current density of multilayer photodetecto ... More
Add   Analysis of the nBn-type barrier structures for infrared photodiode detectors
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Gorn, Dmitriy Igorevich
Source: Journal of communications technology and electronics. 2017. Vol. 62, № 3. P. 314-316
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Modern trends in the technology of CdxHg1–xTe-based photosensitive barrier structures for the middle and far infrared bands, which can operate at near-room temperatures, are analyzed. Main approaches ... More
Add   Development of a high-voltage waveguide photodetector comprised of Schottky diodes and based on the Ge–Si structure with Ge quantum dots for portable thermophotovoltaic converters
Authors: Pakhanov, N. A. | Yakimov, A. I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Pchelyakov, Oleg P.
Source: Optoelectronics, instrumentation and data processing. 2017. Vol. 53, № 2. P. 190-196
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: This paper demontstrates the possibility of developing a high-voltage waveguide photodetector comprised of Schottky diodes and based on a Au/Ge — Si structure with Ge quantum dots pseudomorphic to a s ... More
Add   Расчет шумовых и сигнальных характеристик фотодетекторов с квантовыми точками германия на кремнии
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 173
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Температурные спектры проводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
Authors: Пищагин, Антон Александрович | Серохвостов, Вячеслав Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Никифоров, Александр Иванович | Тимофеев, Вячеслав Алексеевич
Source: Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 178
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Satdarov, Vadim G. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 209-217
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]. Новосибирск, 2015. Т. 1. С. 201-205
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Kokhanenko, Andrey P. | Satdarov, Vadim G. | Pchelyakov, Oleg P. | Nikiforov, Alexander I. | Lozovoy, Kirill A.
Source: Opto-electronics review. 2014. Vol. 22, № 3. P. 171-177
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Расчет пороговых характеристик фотопроводящих детекторов на органических полупроводниках
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 102-105
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Кульчицкий, Николай Александрович | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Нано- и микросистемная техника. 2010. № 6. С. 10-17
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Пpиведен обзоp имеющихся данных по пpоцессам pадиационного дефектообpазования в КPТ, выpащенном объемными и эпитаксиальными методами. Pассмотpено влияние на электpофизические паpаметpы матеpиала облуч ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Date

Subject

Resource Type

^