Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2015 | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич

Add to Quick Collection   All 11 Results

Showing items 1 - 11 of 11.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-д ... More
Source: Вакуумная техника, материалы и технология : материалы X международной научно-технической конференции (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля). М., 2015. С. 243-248
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направл ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 273-275
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Исследованы электрофизические характеристики МДП-структур на основе Cdx Hg1-xTe до и после воздействия рентгеновским излучением с энергией квантов в диапазоне E = 0,5 ÷ 12 кэВ. Показано, что воздейств ... More
Source: Нано- и микросистемная техника. 2015. № 3. С. 31-41
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их о ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований свойств быстрых поверхностных состояний на границе раз-дела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытия-м ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне часто ... More
  • «
  • 1
  • »
^