Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии

   Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe

   Влияние состава варизонного слоя на формирование n+–n−–p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe

   Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии

   Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si

   Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур

   Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур

   Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами

   Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии

   Определение подвижности носителей заряда в пленках органических полупроводников MEH-PPV и MEH-PPV-POSS

   Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками

   Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К

   Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)

   Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

   Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии