Add to Quick Collection
All 47 Results
Showing items 1 - 15 of 47.
Add All Items to Quick Collection
Source: Прикладная физика. 2023. № 4. С. 78-86
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 202-205
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Использована специальная методика измерений электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, позволяющая исключить влияние гистерезисных явлений на результаты измерения первой произв
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-д
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 144-146
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе представлены результаты экспериментальных исследований влияния объемного наносекудного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические характеристики эпитаксиальных пленок КРТ, в
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 86-93
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направл
... More
Authors:
Ижнин, Игорь Иванович |
Коротаев, Александр Григорьевич |
Мынбаев, Карим Джафарович |
Варавин, Василий Семенович |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Якушев, Максим Витальевич |
Бончик, Александр Юрьевич |
Войцеховский, Александр Васильевич |
Фицич, Елена Ивановна |
Савицкий, Григорий Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 267-270
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 273-275
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Исследованы электрофизические характеристики МДП-структур на основе Cdx Hg1-xTe до и после воздействия рентгеновским излучением с энергией квантов в диапазоне E = 0,5 ÷ 12 кэВ. Показано, что воздейств
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 283-286
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований свойств быстрых поверхностных состояний на границе раз-дела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытия-м
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне часто
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 59-69
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10/3. С. 126-130
Type: статьи в журналах
Date: 2014