Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
адмиттанс | вольт-фарадные характеристики

Add to Quick Collection   All 4 Results

Showing items 1 - 4 of 4.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76-87
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Представлены результаты исследований адмиттанса униполярных барьерных структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs (013). С использованием па ... More
Add   Admittance dependences of the mid-wave infrared barrier structure based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
Authors: Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Materials research express. 2019. Vol. 6, № 11. P. 116411 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The admittance of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (013) substrates was studied. The measurements were performed in the temperature range of 10–310 K at the ... More
Add   Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Прикладная физика. 2018. № 3. С. 22-26
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: В широком диапазоне условий измерения экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe/Si(013) с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержанием CdTe и без тако ... More
Add   Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M.
Source: Journal of physics and chemistry of solids. 2017. Vol. 102. P. 42-48
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Admittance of MIS structures based on MBE n-Hg1-xCdxTe (x=0.22–0.23) with Al2O3 as insulator is experimentally investigated for the cases of the presence and absence of near-surface graded-gap layers ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^