Add to Quick Collection
All 2 Results
Showing items 1 - 2 of 2.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 13-19
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Проведены исследования зарождения островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100). По дифракции быстрых электронов показано, что при температуре 600 оС при неизменном потоке Si со скоростью осаждения
... More
Source: Автометрия. 2017. Т. 53, № 2. С. 109-116
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Показана возможность создания высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Au/Ge-Si с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к кремниевой матрице, обеспечива
... More