Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Никифоров, Александр Иванович | Лошкарев, Иван Дмитриевич

Add to Quick Collection   All 5 Results

Showing items 1 - 5 of 5.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 8. С. 115-121
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Впервые получен гибридный материал, который включает оксиды олова поверх структуры с множественными квантовыми ямами Ge0.3Si0.7–ySny/Si. Оксиды олова, такие, как SnO и SnO2, формировались в результате ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 85-90
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Представлены морфологические, структурные и оптические свойства наноструктурированных пленок SnO(x), полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии осаждением олова в потоке кислорода на окисленной ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 13-19
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проведены исследования зарождения островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100). По дифракции быстрых электронов показано, что при температуре 600 оС при неизменном потоке Si со скоростью осаждения ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 2. С. 135-140
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проведены исследования роста соединений SiSn с содержанием Sn от 10 до 35 %. Изучена морфология и структура поверхности слоев SiSn, а также установлена кинетическая диаграмма морфологического состояни ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 81-85
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge–Si–Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировало ... More
  • «
  • 1
  • »

Date

^