Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
статьи в сборниках

Add to Quick Collection   All 5 Results

Showing items 1 - 5 of 5.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   К проблеме дефектообразования в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Ананьин, Олег Борисович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Рамакоти, Рави Шрираджа | Средин, Виктор Геннадиевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 412-413
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении
Authors: Средин, Виктор Геннадиевич | Сахаров, Михаил Викторович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. М., 2019. Ч. 1. С. 134
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Investigation of the effect of soft X-ray radiation on the electrophysical characteristics of epitaxial layers n-Hg1-xCdxTe
Authors: Sredin, V. G. | Anan'in, O. B. | Melekhov, A. P. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Yurchak, V. A. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: 6th International congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE 2018), September 16-22, 2018, Tomsk, Russia : abstracts. Tomsk, 2018. P. 353
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Ананьин, Олег Борисович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Юрчак, Валерий Аркадьевич | Средин, Виктор Геннадиевич
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 392-394
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Authors: Серохвостов, Вячеслав Юрьевич | Пищагин, Антон Александрович
Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.. Томск, 2015. С. 97-99
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^