Add to Quick Collection
All 12 Results
Showing items 1 - 12 of 12.
Add All Items to Quick Collection
Source: Physica status solidi. 2022. Vol. 259, № 2. P. 2100341 (1-6)
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Herein, the electrical and photoelectric characteristics of solar-blind UV detectors based on β-Ga2O3 films with interdigital electrodes are presented. The sensors with interdigital electrodes have in
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 10. С. 114-119
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Исследовано влияние дополнительного легирования бериллием на анизотропию магнетосопротивления эпитаксиальных слоев GaMnAs, полученных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано
... More
Source: Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 3. С. 269-276
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Исследовано влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость структур a-Ga2O3 и a-Ga2O3/"-Ga2O3. Полиморфные эпитаксиальные слои Ga2O3 осаждались методом хлоридной газофазной эпитаксии
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 125-128
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 12. С. 69-73
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
Проанализированы энергетические спектры ростовых ловушек в эпитаксиальных слоях нелегированного и легированного нитрида галлия, выращенного в различных технологических условиях.
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 132-134
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Показана возможность селективного воздействия на атомы отдельного элемента на поверхности кристалла, построенного из атомов нескольких химических элементов, с помощью мягкого рентгеновского излучения.
Source: Прикладная физика. 2017. № 5. С. 59-63
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Показана возможность селективного поверхностного дефектообразования при облучении мягким рентгеновским излучением эпитаксиальных слоев Cd x Hg 1-x Te за счет избирательного воздействия излучения на от
... More
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 333-337
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 84-86
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 4. С. 53-60
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Description:
Приведены экспериментальные данные и теоретический анализ процесса формирования эпитаксиального слоя феррошпинелей на (001) плоскости оксида магния в зависимости от состава. Показано, что особенности
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 54-58
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Представлена модель изменения пропускания мощных лазерных импульсов с учетом изменения с температурой оптических параметров материала CdxHg1–xTe. Рассчитаны тепловые поля, профили коэффициента поглоще
... More
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 3-12
Type: статьи в журналах
Date: 2005