Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
молекулярно-лучевая эпитаксия

Add to Quick Collection   All 239 Results

Showing items 61 - 75 of 239.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2867-2871
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Bright-field and high-resolution transmission electron microscopy and microdiffraction have been used for the study of defects in two HgTe/HgCdTe single quantum well (QW) structures grown by molecular ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76-87
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Представлены результаты исследований адмиттанса униполярных барьерных структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs (013). С использованием па ... More
Source: Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря, Новосибирск, Интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск, 2020. С. 17-18
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25-31
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур ... More
Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.. М., 2020. С. 183-185
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: В данной работе методом дифракции быстрых электронов определены зависимости величины упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте квантовых точек германия на кремнии. Показано, что от ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8-15
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изготовлены три вида nBn -структур на основе теллурида кадмия - ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве барьерных слоев в nBn -структурах использовался Hg1-x Cd x Te при x ... More
Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.. М., 2020. С. 158-160
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: В данной работе проводится всестороннее рассмотрение влияния зависимости упругих напряжений и поверхностных энергий от толщины осажденного материала на эпитаксиальное формирование двумерных слоев и кв ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Рассматривается эпитаксиальный рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния. Предложена кинетическая модель зарождения и роста трехмерных островков по механизму Фольмера – Вебера в ... More
Source: IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2020. С. 413-414
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: Приведен^! результаты экспериментальн^гх исследований сигнальн^гх и темновых характеристик средневолновых инфракрасн^гх nBn-детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитакс ... More
Source: Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря, Новосибирск, Интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск, 2020. С. 8-9
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Международная конференция "Физическая мезомеханика. Материалы с многоуровневой иерархически организованной структурой и интеллектуальные производственные технологии", посвященная 90-летию со дня рождения основателя и первого директора ИФПМ СО РАН академика Виктора Евгеньевича Панина в рамках Международного междисциплинарного симпозиума "Иерархические материалы: разработка и приложения для новых технологий и надежных конструкций", 5-9 октября 2020 года, Томск, Россия : тезисы докладов. Томск, 2020. С. 481
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Труды семнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 11–15 мая 2020 г.. Томск, 2020. С. 112-115
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: Работа посвящена теории эпитаксиального роста двудвумерный материал, адсорбция, десорбция, ми-
Source: Materials research express. 2019. Vol. 6, № 11. P. 116411 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The admittance of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (013) substrates was studied. The measurements were performed in the temperature range of 10–310 K at the ... More
Source: Journal of communications technology and electronics. 2019. Vol. 64, № 3. P. 289-293
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The capacitance–voltage (CV) curves of metal–insulator–semiconductor (MIS) systems based on an HgCdTe nBn structure grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(013) substrates were studied for the first t ... More
Source: Opto-electronics review. 2019. Vol. 27, № 1. P. 14-17
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercury cadmium telluride film grown by molecular beam epitaxy was studied with the use of transmission electron microscopy and op ... More

Date

^