Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 62 Results

Showing items 1 - 15 of 62.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb
Authors: Бурмистров, Евгений Романович | Афанасова, Марина Михайловна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 88-96
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Исследуется механизм рассеяния носителей заряда на ионизированных атомах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb с двумя заполненными подзонами размерного квантования. Цель статьи – разработка теории, кот ... More
Add   Luminescence studies of HgCdTe‑ and InAsSb‑based quantum‑well structures
Authors: Izhnin, A. I. | Fitsych, Olena I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Gorn, Dmitriy Igorevich | Semakova, A. A. | Bazhenov, N. L. | Mynbaev, Karim D. | Zegrya, G. G. | Izhnin, Igor I.
Source: Applied nanoscience. 2019. Vol. 9, № 5. P. 617-622
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Results of photoluminescence studies of single-quantum-well HgCdTe-based structures and electroluminescence studies of multiple-quantum-well InAsSb-based structures are reported. HgCdTe structures wer ... More
Add   Magneto-transport in inverted HgTe quantum wells
Authors: Krishtopenko, Sergey S. | Grabecki, Grzegorz | Jouault, Benoit | Consejo, Christophe | Desrat, Wilfried | Kadykov, Alexander M. | Spirin, Kirill E. | Gavrilenko, Vladimir I. | Mikhailov, Nikolay N. | Dvoretsky, Sergei A. | But, Dmytro B. | Teppe, Frederic | Wróbel, Jerzy | Cywiński, Grzegorz | Kret, Sławomir | Dietl, Tomasz | Knap, Wojciech | Yahniuk, Ivan | Majewicz, Magdalena
Source: npj Quantum materials. 2019. Vol. 4. P. 13 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: HgTe quantum wells (QWs) are two-dimensional semiconductor systems that change their properties at the critical thickness dc, corresponding to the band inversion and topological phase transition. The ... More
Add   Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.
Authors: Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич (научный руководитель)
Type: диссертации
Date: 2019
Add   Расчет профилей состава квантовых структур (HgTe-Hg1-xCdxTe)n в процессе их роста методом in situ эллипсометрии
Authors: Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Икусов, Данил Геннадьевич | Ужаков, Иван Николаевич | Швец, Василий Александрович
Source: XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. М., 2019. Ч. 1. С. 189
Type: статьи в cборниках
Date: 2019
Add   Diffusion of magnesium in LED structures with InGaN/GaN quantum wells at true growth temperatures 860-980°C of p-GaN
Authors: Romanov, I. S. | Prudaev, Ilya A. | Brudnyi, Valentin N.
Source: Russian physics journal. 2018. Vol. 61, № 1. P. 187-190
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: The results of an investigation of Mg diffusion in blue LED structures with InGaN/GaN quantum wells are presented for various growth temperatures of the p-GaN layer. The values of the diffusion coeffi ... More
Add   Radiative recombination in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures for laser applications
Authors: Dubinov, A. A. | Rumyantsev, V. V. | Fadeev, M. A. | Domnina, O. L. | Mikhailov, Nikolay N. | Dvoretsky, Sergei A. | Teppe, F. | Gavrilenko, V. I. | Morozov, S. V. | Aleshkin, V. Ya.
Source: Journal of physics: Condensed matter. 2018. Vol. 30, № 49. P. 495301 (1-6)
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Radiative recombination is studied in CdHgTe/HgTe QWs with bandgap in the 40-140 meV range using four-band Kane model. Calculated radiative lifetimes agree well with the photoconductivity kinetics mea ... More
Add   Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 2. С. 8-11
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены результаты исследования влияния толщины барьерных слоев GaN в активной области светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность (Internal Quantum E ... More
Add   Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Брудный, Валентин Натанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 1. С. 164-166
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены результаты исследования диффузии Mg в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN синего диапазона длин волн при различных температурах роста слоя p -GaN. Произведена оценка коэф ... More
Add   Исследование квантовых ям в светодиодных структурах на основе твердого раствора AlGaInP методом спектроскопии адмиттанса
Authors: Брудный, Павел Александрович
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г.. Томск, 2018. С. 184-186
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Influence of infrared radiation on the electrical characteristics of the surface-barrier nanostructures based on MBE HgCdTe
Authors: Pociask-Bialy, Malgorzata | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Izhnin, Ihor I.
Source: EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. P. 02001 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Impact of illumination on the admittance of the MIS structures based on MBE Hg1-xCdxTe with graded-gap layers and single quantum wells was investigated. It is shown that for HgCdTe-based nanostructure ... More
Add   Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices
Authors: Dzyadukh, Stanislav M. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Gorn, Dmitriy Igorevich | Nesmelov, Sergey N.
Source: Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 735. P. 012012 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: The paper presents brief research results of the admittance of metal-insulator- semiconductor (MIS) structures based on Hg1-xCdxTe grown by molecular-beam epitaxy (MBE) method including single HgCdTe/ ... More
Add   Влияние конструкции активной области AlGaInP светодиодов на низкотемпературные вольт-амперные характеристики
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 194-196
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
Authors: Копьев, Виктор Васильевич | Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 175-177
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well
Authors: Izhnin, I. I. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Gorn, Dmitriy Igorevich | Fitsych, E. I.
Source: The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015) : abstracts book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference, 26-29 August 2015. Lviv, 2015. P. 364
Type: статьи в сборниках
Date: 2015

Creator

Date

Subject

Resource Type

^