Add to Quick Collection
All 231 Results
Showing items 106 - 120 of 231.
Add All Items to Quick Collection
Type: учебные издания
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-д
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2020. С. 413-414
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description:
Приведен^! результаты экспериментальн^гх исследований сигнальн^гх и темновых характеристик средневолновых инфракрасн^гх nBn-детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитакс
... More
Authors:
Несмелов, Сергей Николаевич |
Дзядух, Станислав Михайлович |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Сидоров, Георгий Юрьевич |
Каширский, Данила Евгеньевич |
Горн, Дмитрий Игоревич |
Лозовой, Кирилл Александрович |
Дирко, Владимир Владиславович |
Войцеховский, Александр Васильевич
Source: НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам, 18-22 мая 2020 г., Москва, ИМЕТ РАН : сборник материалов. С. 111-112
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 3. С. 3-9
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Description:
Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48–54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1–xCdxTe с x = 0,29–0,31,
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 95-97
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 267-270
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 198-201
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Определены значения концентраций основных носителей заряда в приповерхностных варизонных слоях полупроводника из измерений адмиттанса МДП-структур на основе n ( p )-HgCdTe, выращенного методом молекул
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 240-241
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19, № 1. С. 3-20
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Рассмотрены возможности исследования электрофизических свойств МДП-структур на основе n(p)-Hgi _ xCdxTe (x = 0,21...0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне темпер
... More
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 4. С. 493-499
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Автометрия. 2017. Т. 53, № 2. С. 109-116
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Показана возможность создания высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Au/Ge-Si с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к кремниевой матрице, обеспечива
... More
Source: Нано- и микросистемная техника. 2015. № 3. С. 31-41
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их о
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276
Type: статьи в журналах
Date: 2015