Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 231 Results

Showing items 46 - 60 of 231.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe
Authors: Талипов, Нияз Хатимович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 61-67
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травления (ИЛТ) низкоэнергетическими ионами Ar+. Показано, что при хорошем тепловом контакте кристалла и охл ... More
Add   Элементная база оптико-электронных приборов
Authors: Буткевич, Леонид Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Майер, Георгий Владимирович | Морозов, Александр Николаевич | Петров, Алексей Сергеевич | Раводина, Ольга Викторовна | Серых, Александр Петрович | Соколова, Ирина Владимировна | Солдаткин, Николай Петрович | Воеводин, Валерий Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Воронков, Виктор Петрович | Вяткин, Анатолий Петрович | Елисеев, Александр Алексеевич | Зуев, Владимир Евсеевич | Зуев, Владимир Владимирович | Кабанов, Михаил Всеволодович | Андреев, Юрий Михайлович (физик)
Type: монографии
Date: 1992
Description: Изложены физические принципы работы, технологические основы и областиприменения новых элементов оптико-электронных приборов (преобразователей лазерных частот на нелинейных кристаллах и органических со ... More
Add   Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе описывается кинетическая модель роста квантовых точек германия на кремнии по механизму Странского–Крастанова, учитывающая зависимость удельной поверхностной энергии граней пирамиды от толщины ... More
Add   Методика расчета спектров фотолюминесценции структур КРТ МЛЭ с потенциальными и квантовыми ямами
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Прикладная физика. 2013. № 5. С. 5-9
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований свойств быстрых поверхностных состояний на границе раз-дела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытия-м ... More
Add   Теоретическая модель описания спектров фотолюминесценции структур КРТ с квантовыми ямами
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 251-252
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Романов, Илья Владимирович | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Григорьев, Денис Валерьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10/3. С. 126-130
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Романов, Иван Сергеевич | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 338-343
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Расчет и оптимизация параметров устройств на поверхностных акустических волнах : компьютерный практикум
Authors: Скрыльников, Александр Аркадьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Type: учебные издания
Date: 2010
Description: Рассмотрены теоретические основы расчёта и оптимизации основных параметров устройств на поверхностных акустических волнах. Предложены практические задания для компьютерного расчёта некоторых простейши ... More
Add   Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями
Authors: Кульчицкий, Николай Александрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 401-405
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Никитин, Михаил Степанович | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 5. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. II. Дискретный анализ спектров подвижности
Authors: Ижнин, Игорь Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 10. С. 98-113
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: В работе, состоящей из двух частей, подробно рассмотрен предложенный авторами метод дискретного анализа спектров подвижности и его применение для определения параметров носителей заряда в CdHgTe. Перв ... More
Add   Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 59-69
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 6. С. 3-11
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне часто ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^