Add to Quick Collection
All 31 Results
Showing items 1 - 15 of 31.
Add All Items to Quick Collection
Source: Physical chemistry chemical physics. 2015. Vol. 17, № 44. P. 30052-30056
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Experimental results indicate a particular importance of such a value as the equilibrium thickness of the wetting layer during epitaxial growth according to the Stranski–Krastanow mechanism in systems
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Authors:
Ижнин, Игорь Иванович |
Коротаев, Александр Григорьевич |
Мынбаев, Карим Джафарович |
Варавин, Василий Семенович |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Якушев, Максим Витальевич |
Бончик, Александр Юрьевич |
Войцеховский, Александр Васильевич |
Фицич, Елена Ивановна |
Савицкий, Григорий Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Authors:
ereshchenko, Oleg E. |
Eremeev, Sergey V. |
Maurin, I. |
Bakulin, Alexander V. |
Kulkova, Svetlana E. |
Aksenov, Maxim S. |
Preobrazhenskii, V. V. |
Putyato, M. A. |
Semyagin, B. R. |
Golyashov, V. A. |
Dmitriev, D. V. |
Toropov, A. I. |
Gutakovskii, A. K. |
Khandarkhaeva, S. E. |
Prosvirin, I. P.
Source: Applied physics letters. 2015. Vol. 107, № 12. P. 123506-1-123506-5
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
In this letter, we present electrical and magnetic characteristics of HfO2-based metal-oxide-semiconductor capacitors (MOSCAPs), along with the effect of pseudomorphic Si as a passivating interlayer o
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований свойств быстрых поверхностных состояний на границе раз-дела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытия-м
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне часто
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 81-85
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge–Si–Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировало
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе описывается кинетическая модель роста квантовых точек германия на кремнии по механизму Странского–Крастанова, учитывающая зависимость удельной поверхностной энергии граней пирамиды от толщины
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направл
... More
Source: International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 164-173
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-д
... More
Source: Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 3. С. 379-384
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 3. P. 309-312
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Atomic-force microscopy is used to investigate the distribution of the contact-potential difference (surface potential) in Cd x Hg1 − x Te epitaxial films grown by molecular-beam epitaxy. Modification
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 3. С. 319-322
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Методами атомно-силовой микроскопии проведено исследование распределения контактной разности потенциалов (поверхностного потенциала) эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лу
... More