Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 230 Results

Showing items 76 - 90 of 230.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Сатдаров, Вадим Газизович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 49-51
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Горн, Дмитрий Игоревич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Гольдин, Виктор Данилович | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Варавин, Василий Семенович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 50-55
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Релаксация электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ при воздействии высокочастотного наносекундного объемного разряда в воздухе атмосферного давления
Authors: Григорьев, Денис Валерьевич | Ермаченков, Павел Андреевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Ерофеев, Михаил Владимирович | Рипенко, Василий Сергеевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8/2. С. 132-136
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния высокочастотного наносекундного диффузного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок КР ... More
Add   Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе описывается кинетическая модель роста квантовых точек германия на кремнии по механизму Странского–Крастанова, учитывающая зависимость удельной поверхностной энергии граней пирамиды от толщины ... More
Add   Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Сборник трудов XII Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2020" Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 год. СПб., 2020. С. 276-278
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: Изготовлены nBn-структуры на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 мкм. Представлены результаты исследований темнового тока и адмиттанса nBn-структур, а также адмиттанса те ... More
Add   Состав носителей в имплантированных бором МЛЭ пленках р-CdHgTe
Authors: Ижнин, Игорь Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Świątek, Zbignew
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 220-222
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Add   Двумерные материалы на основе элементов группы IVA: последние достижения в эпитаксиальных методах синтеза
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Дирко, Владимир Владиславович | Винарский, Владимир Петрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Акименко, Наталья Юрьевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 9. С. 3-10
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Двумерные материалы стали одной из центральных тем исследования ученых по всему миру после получения графена – моноатомного слоя углерода. В настоящее время двумерные кристаллы рассматриваются в качес ... More
Add   Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик)
Source: X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2021. С. 233-234
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: В широком диапазоне частот и температур исследован адмиттанс МДП- приборов на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe в активной области. Показано, что перезарядка уровней размерного квантования в одино ... More
Add   Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 7. С. 96-102
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: В широком диапазоне частот, температур и смещений проведены экспериментальные исследования адмиттанса МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2–Al2O3 и различными материалами дл ... More
Add   Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 37-39
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Никитин, Михаил Степанович | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 5. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3
Authors: Дзядух, Станислав Михайлович | Несмелов, Сергей Николаевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 3-12
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n ( p ) - Hg1-x Cd x Te (при x от 0.22 до 0.40) с диэлектриками SiO2/Si3N4, Al2O3 и CdTe/Al2O3 при температуре 77 К. Выращивание в процессе ... More
Add   Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 150-151
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Нано- и микросистемная техника. 2014. № 9. С. 20-31
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике
Authors: Пчеляков, Олег Петрович | Двуреченский, Анатолий Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 59-64
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^