Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 230 Results

Showing items 136 - 150 of 230.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Прикладная физика. 2018. № 3. С. 22-26
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: В широком диапазоне условий измерения экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe/Si(013) с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержанием CdTe и без тако ... More
Add   Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Нано- и микросистемная техника. 2015. № 2. С. 9-20
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Генерация поверхностных дефектов в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
Authors: Средин, Виктор Геннадиевич | Ананьин, Олег Борисович | Ижнин, Игорь Иванович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 132-134
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показана возможность селективного воздействия на атомы отдельного элемента на поверхности кристалла, построенного из атомов нескольких химических элементов, с помощью мягкого рентгеновского излучения.
Add   Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов
Authors: Дирко, Владимир Владиславович | Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 243
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Add   Разработка высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Ge-Si с квантовыми точками Ge для портативных термофотогенераторов
Authors: Пчеляков, Олег Петрович | Якимов, Андрей Иннокентьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Паханов, Николай Андреевич
Source: Автометрия. 2017. Т. 53, № 2. С. 109-116
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показана возможность создания высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Au/Ge-Si с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к кремниевой матрице, обеспечива ... More
Add   Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 69-70
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Подвижность носителей заряда в OLED структурах с излучающими слоями ЯК-203 и Alq3
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 364-365
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 368-369
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Григорьев, Денис Валерьевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 86-93
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Несмелов, Сергей Николаевич | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Наноинженерия. 2014. № 4. С. 8-14
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 17-20
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ
Authors: Фицич, Елена Ивановна | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Курбанов, Курбан Рамазанович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Ремесник, Владимир Григорьевич | Ижнин, Игорь Иванович | Якушев, Максим Витальевич | Бончик, Александр Юрьевич | Савицкий, Григорий Владимирович | Świątek, Zbigniew | Morgiel, Jerzy
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 98-103
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Путем профилирования электрических параметров имплантированных мышьяком пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, и сопоставления полученных данных с результатами исследований, проведе ... More
Add   Эффективность фоточувствительных Ge/Si-наноструктур с оптическим резонатором
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Скрыльников, Александр Аркадьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 224-226
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 5. С. 611-616
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Несмелов, Сергей Николаевич | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения : материалы Международной научно-технической конференции "INTERMATIC-2013", 2-6 декабря 2013 г., Москва. М., 2013. Ч. 1. С. 204-211
Type: статьи в сборниках
Date: 2013

Creator

Date

Subject

Resource Type

^