Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 228 Results

Showing items 46 - 60 of 228.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 62-69
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне часто ... More
Add   Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe
Authors: Талипов, Нияз Хатимович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 61-67
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травления (ИЛТ) низкоэнергетическими ионами Ar+. Показано, что при хорошем тепловом контакте кристалла и охл ... More
Add   Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 6. С. 3-11
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Расчет и оптимизация параметров устройств на поверхностных акустических волнах : компьютерный практикум
Authors: Скрыльников, Александр Аркадьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Type: учебные издания
Date: 2010
Description: Рассмотрены теоретические основы расчёта и оптимизации основных параметров устройств на поверхностных акустических волнах. Предложены практические задания для компьютерного расчёта некоторых простейши ... More
Add   Физические основы лазерной техники : учебное пособие : [для студентов вузов, обучающихся по специальностям 200201 - "Лазерная техника и лазерные технологии", 200203 - "Оптико-электронные приборы и системы"]
Authors: Пойзнер, Борис Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Type: учебные издания
Date: 2006
Add   Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Сатдаров, Вадим Газизович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 49-51
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на магнитополевые зависимости электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ
Authors: Григорьев, Денис Валерьевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 144-146
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе представлены результаты экспериментальных исследований влияния объемного наносекудного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические характеристики эпитаксиальных пленок КРТ, в ... More
Add   Элементная база оптико-электронных приборов
Authors: Буткевич, Леонид Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Майер, Георгий Владимирович | Морозов, Александр Николаевич | Петров, Алексей Сергеевич | Раводина, Ольга Викторовна | Серых, Александр Петрович | Соколова, Ирина Владимировна | Солдаткин, Николай Петрович | Воеводин, Валерий Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Воронков, Виктор Петрович | Вяткин, Анатолий Петрович | Елисеев, Александр Алексеевич | Зуев, Владимир Евсеевич | Зуев, Владимир Владимирович | Кабанов, Михаил Всеволодович | Андреев, Юрий Михайлович (физик)
Type: монографии
Date: 1992
Description: Изложены физические принципы работы, технологические основы и областиприменения новых элементов оптико-электронных приборов (преобразователей лазерных частот на нелинейных кристаллах и органических со ... More
Add   Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 7. С. 96-102
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: В широком диапазоне частот, температур и смещений проведены экспериментальные исследования адмиттанса МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2–Al2O3 и различными материалами дл ... More
Add   Электрофизические характеристики униполярных барьерных структур на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральных диапазонах 3-5 и 8-12 мкм
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 240-241
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Add   Актуальные проблемы радиофизики : VIII Международная научно-практическая конференция : сборник трудов конференции, 1-4 октября 2019 г., г. Томск
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Гермогенов, Валерий Петрович | Дунаевский, Григорий Ефимович | Колесник, Сергей Анатольевич | Соловьев, Андрей Вениаминович | Самохвалов, Игнатий Викторович | Завьялова, Ксения Владимировна | Шипилов, Сергей Эдуардович | Якубов, Владимир Петрович
Type: сборники
Date: 2019
Description: В сборнике представлены доклады участников VIII Международной научно-практической конференции "Актуальные проблемы радиофизики 2019", проходившей в Томском государственном университете 1-4 октября 201 ... More
Add   Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-д ... More
Add   Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 37-39
Type: статьи в журналах
Date: 2013

Creator

Date

Subject

Resource Type

^