Add to Quick Collection
All 19 Results
Showing items 1 - 15 of 19.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 16-21
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Проведено исследование временной динамики релаксации неравновесной концентрации носителей заряда в полупроводниковых кристаллах SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии. Про
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 148-153
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Разработана конструкция и изготовлены лабораторные образцы фотопроводящих дипольных антенн на основе SI-GaAs:Сr и LT-GaAs для генерации и детектирования терагерцового излучения. Экспериментально иссле
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 56-60
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Представлены результаты анализа структуры и фазового состава пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением. Показано, что в интервале 290-350 К рост проводимости пленок с повышением темп
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 2. С. 115-119
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
Представлены результаты экспериментальных исследований зависимости удельного сопротивления, эффективности сбора заряда, произведения подвижности на время жизни (μ×τ)n и вольт-амперных характеристик от
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 115-119
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 136-138
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Проведено моделирование распределения напряженности поля единичных образцов арсенид-галлиевых детекторов, компенсированных хромом. Проведено сравнение вольт-амперных характеристик, полученных эксперим
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 128-131
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Представлен детальный анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) сенсоров на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (GaAs:Cr). На поверхности GaAs:Cr методом электр
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9. С. 11-16
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, № 8. С. 1137-1143
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, вып. 5. С. 598-603
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 181-184
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, вып. 2. С. 278-284
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 71-74
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 84-86
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 31-39
Type: статьи в журналах
Date: 2012