Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 231 Results

Showing items 166 - 180 of 231.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 56-62
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Моделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Дирко, Владимир Владиславович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2021. С. 64
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: В данной работе рассматривается эпитаксиальное выращивание напряженных двумерных слоев германия и твердого раствора германия-кремния различного состава, а также особенности формирования квантовых точе ... More
Add   Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 368-369
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Расчет параметров детекторов терагерцового диапазона на основе системы иммерсионная линза-планарная антенна-полупроводниковый датчик
Authors: Барко, Алексей Владимирович | Левашкин, Андрей Геньевич | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 283-286
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском университете
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Гаман, Василий Иванович | Гермогенов, Валерий Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна | Мокроусов, Геннадий Михайлович
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 47-52
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Add   Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Сатдаров, Вадим Газизович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 49-51
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Никитин, Михаил Степанович | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 5. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии
Authors: Пищагин, Антон Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 241-243
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе описывается кинетическая модель роста квантовых точек германия на кремнии по механизму Странского–Крастанова, учитывающая зависимость удельной поверхностной энергии граней пирамиды от толщины ... More
Add   Влияние объемного наносекундного разряда в газовых средах атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала HgCdTe
Authors: Григорьев, Денис Валерьевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Коханенко, Андрей Павлович | Петерс, Александр Сергеевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 65-66
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   К проблеме дефектообразования в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Ананьин, Олег Борисович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Рамакоти, Рави Шрираджа | Средин, Виктор Геннадиевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 412-413
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Генерация поверхностных дефектов в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
Authors: Средин, Виктор Геннадиевич | Ананьин, Олег Борисович | Ижнин, Игорь Иванович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 132-134
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показана возможность селективного воздействия на атомы отдельного элемента на поверхности кристалла, построенного из атомов нескольких химических элементов, с помощью мягкого рентгеновского излучения.
Add   Методы измерения дрейфовой подвижности носителей заряда в излучающих структурах на основе полимерных органических полупроводниковых материалов
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Илья Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 109-112
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Юрий Георгиевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 3. С. 3-9
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Description: Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48–54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1–xCdxTe с x = 0,29–0,31, ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^