Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN: научный доклад по направлению подготовки: 03.06.01 - Физика и астрономия
Радиофизический факультет
Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN: научный доклад по направлению подготовки: 03.06.01 - Физика и астрономия