https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Index ${session.getAttribute("locale")} 5 Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe in wide temperature range https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493187 Thu 13 Dec 2018 10:31:55 KRAT ]]> Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23) https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493191 Thu 07 Sep 2017 16:12:04 KRAT ]]> Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000466118 Thu 05 Sep 2019 10:43:39 KRAT ]]> Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000529825 Mon 24 Apr 2017 10:14:57 KRAT ]]> Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000492663 Mon 23 Sep 2019 09:33:17 KRAT ]]> Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519407 Mon 02 Apr 2018 09:55:59 KRAT ]]>