https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Index ${session.getAttribute("locale")} 5 Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547303 Wed 09 Oct 2019 10:21:36 KRAT ]]> Background donor concentration in HgCdTe https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535381 Mon 03 Dec 2018 12:09:37 KRAT ]]> Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535375 Mon 03 Dec 2018 11:55:46 KRAT ]]>