https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Index ${session.getAttribute("locale")} 5 Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3 https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547302 Wed 09 Oct 2019 11:29:51 KRAT ]]> Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547303 Wed 09 Oct 2019 10:21:36 KRAT ]]> Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493221 Tue 05 Sep 2017 14:02:02 KRAT ]]> Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23) https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493191 Thu 07 Sep 2017 16:12:04 KRAT ]]> Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000487199 Mon 16 Sep 2019 12:09:46 KRAT ]]> Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000487234 Mon 16 Sep 2019 12:00:41 KRAT ]]> Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519781 Fri 26 May 2017 12:16:35 KRAT ]]>