https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Index en-us 5 Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3 https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547302 Wed 09 Oct 2019 11:29:51 KRAT ]]> Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547260 Wed 09 Oct 2019 11:26:43 KRAT ]]> Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547303 Wed 09 Oct 2019 10:21:36 KRAT ]]> Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547575 Mon 07 Oct 2019 10:35:20 KRAT ]]> Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519781 Fri 26 May 2017 12:16:35 KRAT ]]>