https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Index ${session.getAttribute("locale")} 5 Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3 https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547302 Wed 09 Oct 2019 11:29:51 KRAT ]]> Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547303 Wed 09 Oct 2019 10:21:36 KRAT ]]> Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000658544 Tue 18 Jun 2019 09:52:41 KRAT ]]> Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000895314 Tue 07 Jun 2022 10:57:49 KRAT ]]> Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519736 Sat 06 May 2017 09:58:30 KRAT ]]> Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000622619 Mon 28 Jan 2019 12:02:27 KRAT ]]> Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623566 Mon 21 Oct 2019 12:21:45 KRAT ]]> Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000626213 Mon 21 Oct 2019 11:06:29 KRAT ]]> Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000782456 Mon 09 Nov 2020 09:52:20 KRAT ]]> Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30) https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000723485 Mon 07 Sep 2020 11:28:14 KRAT ]]> Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл-диэлектрик-полупроводник https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000709242 Fri 15 May 2020 10:47:51 KRAT ]]> Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000709241 Fri 15 May 2020 09:30:54 KRAT ]]>