Add to Quick Collection
All 3 Results
Showing items 1 - 3 of 3.
Add All Items to Quick Collection
Source: X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2021. С. 233-234
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description:
В широком диапазоне частот и температур исследован адмиттанс МДП- приборов на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe в активной области. Показано, что перезарядка уровней размерного квантования в одино
... More
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2489-2494
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Hg1−xCdxTe grown by molecular beam epitaxy including HgTe single quantum well (SQW) with thickness of 6.5 nm were
Source: Nanoscale research letters. 2016. Vol. 11. P. 53 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
This work presents results of the investigation of admittance of metal-insulator-semiconductor structure based on Hg1 − xCdxTe grown by molecular beam epitaxy. The structure contains a single quantum
... More