Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
селенид галлия

Add to Quick Collection   All 57 Results

Showing items 1 - 15 of 57.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Russian physics journal. 2021. Vol. 63, № 9. P. 1504-1509
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: GaSe and InSe nanolayers were obtained by mechanical exfoliation and physical vapor deposition methods on silicon substrates. Employing atomic force microscopy the surface morphology and thickness of ... More
Source: International journal of modern physics B. 2021. Vol. 35, № 27. P. 2150273-1-2150273-14
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: GaSe nanoflakes on silicon substrates covered by SiO2 films are prepared by mechanical exfoliation from the bulk Bridgman-grown GaSe crystals using a scotch tape. The thickness of SiO2 films on Si sub ... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 228-229
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 9. С. 50-54
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Нанослои GaSe и InSe получены на подложках из кремния методами механического отслоения и осаждения из паровой фазы. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхностей и определен ... More
Source: Journal of optics. 2017. Vol. 19, № 11. P. 115503 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Terahertz wave generation through optical rectification of femtosecond laser pulses and its detection in GaSe and GaSe1−x S x crystals with a relatively low (x = 0.04) and high (x = 0.29) content of s ... More
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 206-208
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 181-183
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 184-186
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON–2015), Russia, Omsk, may 21-23, 2015 : proceedings. Omsk, 2015. P. [1-3]
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Physics of the solid state. 2015. Vol. 57, № 9. P. 1735-1740
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The dielectric functions, refractive indices, and extinction coefficients of GaSe and InSe layered crystals have been calculated within the density functional theory. The calculations have been perfor ... More
Source: Optics express. 2015. Vol. 23, № 25. P. 32820-32834
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: High optical quality nonlinear crystals of solid solution GaSe1−xSx, x=0, 0.05, 0.11, 0.22, 0.29, 0.44, 1 were grown by modified Bridgman method with heat field rotation. Ordinary and extraordinary wa ... More
Source: Light: Science & Applications. 2015. Vol. 4. P. e362 (1-12)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: In this review, we introduce the current state of the art of the growth technology of pure, lightly doped, and heavily doped (solid solution) nonlinear gallium selenide (GaSe) crystals that are able t ... More
Source: Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys : book of the International workshop articles, Russia-China, 15-20 September, 2015 [Barnaul-Belokurikha]. Барнаул, 2015. P. 185-186
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Journal of solid state chemistry. 2015. Vol. 232. P. 67-72
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The influence of van der Waals interactions on the lattice parameters, band structure, elastic moduli and binding energy of layered GaSe compound has been studied using projector-augmented wave method ... More

Date

^