Add to Quick Collection
All 90 Results
Showing items 1 - 15 of 90.
Add All Items to Quick Collection
Source: IX Международная конференция "Лазерные, плазменные исследования и технологии" ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М., 2023. С. 43
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Description:
Приводятся результаты исследования ВФХ МДП структур на основе CdxHg1-xTe, подвергнутых действию мягкого рентгеновского излучения. Предлагается модель генерации поверхностных дефектов излучением.
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 10. С. 127-134
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Определены выражения для спектральной и температурной зависимости парциальных коэффициентов межзонного многофотонного поглощения света, отличающиеся друг от друга типами виртуальных оптических переход
... More
Source: Инноватика-2021 : сборник материалов XVII Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 22-23 апреля 2021 г., г. Томск, Россия. Томск, 2021. С. 133-137
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description:
The article is devoted to the study of a non-contact method for determining the type of conductivity in a particularly pure solution. The results of a literature review and comparison with contact met
... More
Type: монографии
Date: 2021
Description:
В монографии приведен анализ основных достижений в области использования архитектур полупроводниковых фотоприемных устройств, содержащих униполярные барьеры. Рассмотренные разработки демонстрируют улу
... More
Source: Catalysis: from science to industry : proceedings of VI International scientific school-conference for young scientists, October 6-10, 2020. Tomsk, 2020. P. 88
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 173-178
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Теоретически исследован линейно-циркулярный дихроизм двух- и трехфотонного поглощения света в полупроводниках кубической симметрии дырочной проводимости. Рассчитаны матричные элементы двух- и трехфото
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 8-15
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Рассчитаны коэффициенты прозрачности полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся асимметричных потенциальных барьеров и ям, где учтено условие Бастарда. Показано, что в структуре наблюдаетс
... More
Source: Thin solid films. 2019. Vol. 692. P. 137622 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
Pentacene-based metal-insulator-semiconductor capacitors with SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators were investigated in the temperature range of 9–300 K. The capacitance-voltage curves of the fabricated cap
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 125-128
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Source: Инноватика - 2019 : сборник материалов XV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 25-27 апреля 2019 г., г. Томск, Россия. Томск, 2019. С. 181-185
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Description:
The article is devoted to a complex method for measuring the resistivity of semiconductor
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 144-150
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
Рассчитана спектральная и температурная зависимость коэффициента поглощения и тока эффекта фотонного увлечения в теллуре дырочной проводимости при освещении его линейно-поляризованным светом. При этом
... More
Source: Journal of applied physics. 2018. Vol. 124, № 2. P. 025704-1-025704-8
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
The method of photoconductive detection of defect-related vibrational modes in semiconductors by Fano resonances is validated by a combined photoconductivity and infrared absorption study of the inter
... More
Source: Инноватика - 2018 : сборник материалов XIV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 26-27 апреля 2018 г., г. Томск, Россия. Томск, 2018. С. 125-128
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Description:
The article is devoted to a non-contact method for measuring the resistivity of semiconductor
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 1. С. 158-163
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Изучены слабо нелинейные волновые процессы в цилиндрической области дырочного газа, окружающей отрицательно заряженную дислокацию в полупроводниковом кристалле n-типа. Показано, что при учете дисперси
... More
Type: монографии
Date: 2018
Description:
В монографии на основе оригинальных представлений последовательно и всесторонне обсуждены различные аспекты природы электрофизических явлений структур с барьером Шоттки на GaAs. Внедрение в промышленн
... More
