Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
эпитаксиальные слои
|
Серохвостов, Вячеслав Юрьевич
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
221 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Creator
Серохвостов, Вячеслав Юрьевич
Creator
Пищагин, Антон Александрович
Subject
молекулярно-лучевая эпитаксия
эпитаксиальные слои
наноструктуры
Date
2015
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Радиофизический факультет
Identifier
vtls:000539888
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000539888
Type
статьи в сборниках
Source
Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.. Томск, 2015. С. 97-99
Language
rus
939 Visitors
670 Hits
298 Downloads
Preview
Радиофизический факультет
Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
^ DIV >