Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
полупроводники | 2012

Add to Quick Collection   All 6 Results

Showing items 1 - 6 of 6.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Change in the electronic properties of an InAs (111)A surface at oxygen and fluorine adsorption
Authors: Valisheva, N. A. | Tereshchenko, Oleg E. | Kulkova, Svetlana E. | Eremeev, Sergey V.
Source: Semiconductors. 2012. Vol. 46, № 1. P. 49-55
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Effect of Pt, Pd, Au additives on the surface and in the bulk of tin dioxide thin films on the electrical and gas-sensitive properties
Authors: Maksimova, N. K | Novikov, Vladimir A. | Rudov, F. V. | Sergeychenko, N. V. | Chernikov, E. V. | Sevastyanov, E. Yu.
Source: Semiconductors. 2012. Vol. 46, № 6. P. 801-809
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Electronic structure and the local electroneutrality level of SiC polytypes from quasiparticle calculations within the GW approximation
Authors: Brudnyi, V. N. | Kosobutsky, Alexey V.
Source: Journal of experimental and theoretical physics. 2012. Vol. 114, № 6. P. 1037-1042
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Half-metallic spin polarized electron states in the chimney-ladder higher manganese silicides MnSi1−x (x = 1.75−1.73) with silicon vacancies
Authors: Caprara, S. | Kulatov, E. | Tugushev, V. V.
Source: The European physical journal B. 2012. Vol. 85. P. 149 (1-12)
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Исследование полупроводникового соединения СuAlO2 методом ЯКР Cu
Authors: Матухин, Вадим Леонидович | Хабибуллин, Илдар Хайдарович | Шульгин, Дмитрий Анатольевич | Шмидт, Станислав Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 2. С. 53-56
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Description: Методом ядерного квадрупольного резонанса Cu (ЯКР Cu) исследованы образцы полупроводникового соединения CuAlO2. Кристаллическая структура CuAlO2 относится к семейству делафоссита – минерала основного ... More
Add   Основные параметры копланарной линии, используемой для возбуждения геликоновых волн в активной полупроводниковой среде
Authors: Корнейчук, Сергей Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 5. С. 100-104
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Description: Исследованы основные параметры копланарной линии, используемой для возбуждения волн геликонового типа. Определены компоненты векторов напряженности электрического и магнитного полей, вектора Пойнтинга ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^