Add to Quick Collection
All 5 Results
Showing items 1 - 5 of 5.
Add All Items to Quick Collection
Source: Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56, № 9. С. 928-932
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 6. С. 3-6
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
Представлены результаты исследования вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик структур металл – оксид – полупроводник на основе GaxOy/GaAs, полученных методом термического испарения. Установлено
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 139-142
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Исследованы структуры Ni/V-TiO2- n- Si-V/Ni с пленкой TiO2, полученной методом ВЧ-магнетронного распыления мишени, изготовленной из оксида титана. Установлено, что используемая технология изготовления
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 147-149
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55 № 8/2. С. 123-126
Type: статьи в журналах
Date: 2012