Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2012 | Tolbanov, Oleg P.

Add to Quick Collection   All 3 Results

Showing items 1 - 3 of 3.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Electrical characteristics of n-GaAs-anode film-Ga2O3-metal structures
Authors: Valiev, K. I. | Zarubin, A. N. | Petrova, Yu. S. | Tolbanov, Oleg P. | Tyazhev, Anton V. | Yaskevich, T. M. | Kalygina, V. M.
Source: Semiconductors. 2012. Vol. 46, № 8. P. 1003-1007
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Investigation of the radiation hardness of GaAs sensors in an electron beam
Authors: Bergholz, M. | Mokeev, D. | Novikov, Vladimir A. | Bernitt, P. | Tolbanov, Oleg P. | Tyazhev, Anton V. | Afanaciev, K.
Source: Journal of instrumentation : electronic journal. 2012. Vol. 7, № 11. P. 11022 (1-11)
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Response to “Comment on 'GaSe1−xSx and GaSe1−xTex thick crystals for broadband terahertz pulses generation'" [Appl. Phys. Lett. 100, 136103 (2012)]
Authors: Sarkisov, Sergey Yu. | Shkurinov, A. P. | Tolbanov, Oleg P. | Nazarov, Maxim M.
Source: Applied physics letters. 2012. Vol. 100, Issue 13. P. 136104-1-136104-2
Type: статьи в журналах
Date: 2012
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^