Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 13 Results

Showing items 1 - 13 of 13.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2025. Т. 68, № 7. С. 95-102
Type: статьи в журналах
Date: 2025
Description: Методами ИК-фурье-спектроскопии отражения и анизотропного отражения определены спектральные положения локализованного поверхностного плазмонного резонанса в массивах алюминиевых наноантенн прямоугольн ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2025. Т. 68, № 6. С. 85-94
Type: статьи в журналах
Date: 2025
Description: Были разработаны p–i–n-фотодиоды GeSiSn/Si, сопряженные с фотонно-кристаллическими структурами с массивом микрорезонаторов в виде суперъячеек (3×3) и (5×5). Методами численного моделирования исследова ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 12. С. 22-30
Type: статьи в журналах
Date: 2024
Description: Проводятся исследования показателя поглощения в ближнем ИК-диапазоне слоев GeSn и GeSiSn различных составов с содержанием кремния до 63% и олова до 14%, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитакси ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 5. С. 60-66
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Исследованы наногетероструктуры с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках, включая структуры с Ge квантовым ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 8. С. 115-121
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Впервые получен гибридный материал, который включает оксиды олова поверх структуры с множественными квантовыми ямами Ge0.3Si0.7–ySny/Si. Оксиды олова, такие, как SnO и SnO2, формировались в результате ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 85-90
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Представлены морфологические, структурные и оптические свойства наноструктурированных пленок SnO(x), полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии осаждением олова в потоке кислорода на окисленной ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 7. С. 22-26
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проведены экспериментальные исследования формирования структуры ступенчатой поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на подложке Si(100) в широких интервалах изменения температуры подложк ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 13-19
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проведены исследования зарождения островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100). По дифракции быстрых электронов показано, что при температуре 600 оС при неизменном потоке Si со скоростью осаждения ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 2. С. 135-140
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проведены исследования роста соединений SiSn с содержанием Sn от 10 до 35 %. Изучена морфология и структура поверхности слоев SiSn, а также установлена кинетическая диаграмма морфологического состояни ... More
Source: Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 178
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 81-85
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge–Si–Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировало ... More
Source: Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. 2014. Т. 100, вып. 2. С. 99-103
Type: статьи в журналах
Date: 2014
  • «
  • 1
  • »

Date

^