Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Олейник, Владимир Леонидович | Копьев, Виктор Васильевич

Add to Quick Collection   All 5 Results

Showing items 1 - 5 of 5.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Курасова, Анна Сергеевна | Гущин, Сергей Михайлович
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 163-164
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Влияние частоты и температуры на импульсную оптическую мощность лазерной микросборки на основе лавинного S-диода
Authors: Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Олейник, Владимир Леонидович | Скакунов, Максим Сергеевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 159-160
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Физические основы работы лавинного S-диода
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич | Олейник, Владимир Леонидович | Петрова, Юлианна Сергеевна
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 181
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Олейник, Владимир Леонидович | Копьев, Виктор Васильевич
Source: Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, вып. 2. С. 240-246
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: В работе исследованы зависимости квантового выхода от температуры и уровня возбуждения для светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. Эксперимент проводился для двух режимов возбужден ... More
Add   Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO2 и Si3N4
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Копьев, Виктор Васильевич
Source: Системы связи и радионавигации : сборник тезисов. Красноярск, 2016. С. 285-288
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^