Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
2012
|
статьи в журналах
|
Голыгин, Илья Юрьевич
|
Толбанов, Олег Петрович
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN
582 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN
Creator
Голыгин, Илья Юрьевич
Creator
Новиков, Вадим Александрович
Creator
Данюк, Денис Борисович
Creator
Скакунов, Максим Сергеевич
Creator
Толбанов, Олег Петрович
Creator
Прудаев, Илья Анатольевич
Contributor
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники
Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ
Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Subject
светодиоды
нитрид галлия
вольт-амперные характеристики
вольт-фарадные характеристики
рекомбинация
монополярная инжекция
Date
2012
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
Физический факультет
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Identifier
vtls:000448618
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448618
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 101-102
Language
rus
1964 Visitors
1651 Hits
351 Downloads
Preview
Физический факультет
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
<
>
Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN
^ DIV >