Add to Quick Collection
All 20 Results
Showing items 1 - 15 of 20.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 44-53
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружит
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 9. С. 5-16
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиа
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8/2. С. 132-136
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Представлены экспериментальные результаты исследования влияния высокочастотного наносекундного диффузного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок КР
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 1. С. 109-118
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
В диапазоне температур 9–77 К экспериментально исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного n-Hg₁₋ₓCdₓTe (x = 0.22–0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 144-146
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе представлены результаты экспериментальных исследований влияния объемного наносекудного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические характеристики эпитаксиальных пленок КРТ, в
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 141-143
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Представлены результаты исследований влияния объемного наносекундного разряда на электронные свойства приповерхностной области эпитаксиальных пленок КРТ. Обнаружено, что распределение поверхностного п
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 86-93
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 3. С. 319-322
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Методами атомно-силовой микроскопии проведено исследование распределения контактной разности потенциалов (поверхностного потенциала) эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лу
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10/3. С. 126-130
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 54-67
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 12/3. С. 157-161
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 137-139
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 333-337
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/2. С. 318-320
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/2. С. 326-328
Type: статьи в журналах
Date: 2013