Please be patient while the object screen loads.
Description | Size | Format | ||
---|---|---|---|---|
Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1–xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs | 604 KB | Adobe Acrobat PDF | View Details | Download |