Проведено моделирование пространственного нестационарного температурного распределения в модельном сегнетоэлектрическом образце под воздействием электронных пучков растрового электронного микроскопа (РЭМ). Представлено решение задачи о влиянии сфокусированных источников тепла различных конфигураций на монокристалл сегнетоэлектрика и на кристалл с нанесенными на грани электродами. Реализация модели основана на методе конечных разностей. Предложено программное приложение, позволяющее рассчитать температурные поля и максимальную температуру перегрева при заданных теплофизических характеристиках образца и параметрах эксперимента для различных типов растровых электронных микроскопов.