Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
молекулярно-лучевая эпитаксия

Add to Quick Collection   All 240 Results

Showing items 76 - 90 of 240.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Elastically stressed pseudomorphic SiSn island array formation with a pedestal on the Si(1 0 0) substrate using Sn as a growth catalyst
Authors: Timofeev, V. A. | Mashanov, Vladimir I. | Gavrilova, Tatiana A. | Gulyaev, D. V. | Nikiforov, Alexander I.
Source: Journal of crystal growth. 2019. Vol. 518. P. 103-107
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The Sn-rich islands with a Si pedestal on the Si(1 0 0) substrate were obtained by the molecular-beam epitaxy technique. Initially, Sn films of different thicknesses were formed on the Si surface and ... More
Add   Electrical properties of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates
Authors: Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Infrared physics and technology. 2019. Vol. 102. P. 103035 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The unipolar MWIR nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs (0 1 3) substrates were created. The CdTe content in the barrier layer varied from 0.67 to 0.84 for various sam ... More
Add   Адмиттансные характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 5. С. 77-85
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Впервые экспериментально исследован адмиттанс nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне частот и температур. Состав CdTe в барьерном слое ис ... More
Add   Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл-диэлектрик-полупроводник
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Ижнин, Игорь Иванович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 370
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий-ртуть-теллур
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 118-124
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики nBn- структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs, в диапазоне температур 9-300 К. ... More
Add   Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe
Authors: Фицич, Елена Ивановна | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Савицкий, Григорий Владимирович | Курбанов, Курбан Рамазанович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Ремесник, Владимир Григорьевич | Якушев, Максим Витальевич | Бончик, Александр Юрьевич | Świątek, Zbigniew | Morgiel, Jerzy | Ижнин, Игорь Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 375-377
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 368-369
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Admittance of MIS structures based on MBE Hg1 –xCdxTe (x = 0.21–0.23) in a wide temperature range
Authors: Kulchitsky, N. A. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Journal of communications technology and electronics. 2018. Vol. 63, № 9. P. 1112-1118
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Features of the electrical properties of n(p)-Hg1–xCdxTe (x = 0.21–0.23) with Al2O3 or SiO2/Si3N4 dielectrics are considered. The HgCdTe films were grown by means of molecular beam epitaxy on GaAs(013 ... More
Add   Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Varavin, Vasilii S. | Vasilev, Vladimir V. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Yakushev, Maxim V. | Dzyadukh, Stanislav M.
Source: Russian physics journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1853-1863
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Admittance of MIS structures based on n(p)- Hg1–xCdxTe (at x from 0.22 to 0.40) with SiO2/Si3N4, Al2O3, and CdTe/Al2O3 insulators is studied experimentally at 77 K. Growth of an intermediate CdTe laye ... More
Add   Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
Authors: Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Russian physics journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1871-1879
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: A comparative analysis is carried out of the growth peculiarities under molecular-beam epitaxy of germanium quantum dots on the silicon surfaces with different crystallographic orientations Si(100) an ... More
Add   Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Surface science. 2018. Vol. 669. P. 45-49
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Nowadays using of tin as one of the deposited materials in GeSi/Sn/Si, GeSn/Si and GeSiSn/Si material systems is one of the most topical problems. These materials are very promising for various applic ... More
Add   Defects in arsenic implanted p+-n- and n+-p-structures based on MBE grown CdHgTe films
Authors: Izhnin, Igor I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Korotaev, A. G. | Mynbaev, Karim D. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Yakushev, Maxim V. | Bonchyk, A. Yu. | Fitsych, Olena I. | Savytskyy, Hrygory V. | Świątek, Zbigniew
Source: Russian physics journal. 2018. Vol. 60, № 10. P. 1752-1757
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Complex studies of the defect structure of arsenic-implanted (with the energy of 190 keV) Cd x Hg 1–x Te (x = 0.22) films grown by molecular-beam epitaxy are carried out. The investigations were perfo ... More
Add   Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films
Authors: Izhnin, Igor I. | Syvorotka, I. I. | Korotaev, A. G. | Mynbaev, Karim D. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Remesnik, V. G. | Yakushev, Maxim V. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: 6th International congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE 2018), September 16-22, 2018, Tomsk, Russia : abstracts. Tomsk, 2018. P. 354
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Effective diffusion length and elementary surface processes in the concurrent growth of nanowires and 2D layers
Authors: Hervieu, Yurij Yurevich
Source: Journal of crystal growth. 2018. Vol. 493. P. 1-7
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: In this work, we revisit models of the diffusion-induced growth of nanowires (NWs) accompanied by the growth of crystalline layers on the nonactivated areas of the substrate surface. In the convention ... More
Add   Influence of the compositional grading on concentration of majority charge carriers in near-surface layers of n(p)-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M.
Source: Journal of electronic materials. 2018. Vol. 47, № 5. P. 2694-2702
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: The capacitive characteristics of metal–insulator-semiconductor (MIS) structures based on the compositionally graded Hg1−xCdxTe created by molecular beam epitaxy have been experimentally investigated ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^