Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
молекулярно-лучевая эпитаксия

Add to Quick Collection   All 244 Results

Showing items 226 - 240 of 244.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 4. С. 493-499
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 1. С. 38-45
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Capacitance–voltage characteristics of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M.
Source: Thin solid films. 2012. Vol. 522. P. 261-266
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A. | Kalin, Eugeniy A. | Satdarov, Vadim G.
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 271-272
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Si/Ge-based photosensitive nanoheterostructures for optical communication systems
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Kokhanenko, Andrey P. | Turapin, Alexey M. | Satdarov, Vadim G. | Kalin, Eugeniy A. | Lozovoy, Kirill A.
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 246-247
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1–xCdхTe heterostructures
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Yatskiy, Alexey V.
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 269-270
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Горн, Дмитрий Игоревич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Гольдин, Виктор Данилович | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Варавин, Василий Семенович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 50-55
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Теоретическая модель описания спектров фотолюминесценции структур КРТ с квантовыми ямами
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 251-252
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Сатдаров, Вадим Газизович | Пищагин, Антон Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 232-233
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников
Authors: Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Тийс, Сергей Александрович | Гутаковский, Антон Константинович | Пчеляков, Олег Петрович | Якимов, Андрей Иннокентьевич | Никифоров, Александр Иванович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 249-250
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 56-62
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 69-70
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Ижнин, Игорь Иванович | Савицкий, Григорий Владимирович | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 136-137
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Ионная имплантация в гетероэпитаксиальные слои и кристаллы p-CdxHg1-xTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2011. № 4. С. 32-41
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Add   МЛЭ нанокластеры GE на поверхности Si(100). Картины ДБЭ и АСМ-изображения
Authors: Торопов, Никита Александрович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Молодежная научная конференция Томского государственного университета, 2009 г.. Томск, 2010. Вып. 2 : Проблемы естествознания. С. 415-417
Type: статьи в сборниках
Date: 2010

Creator

Date

Subject

Resource Type

^