Add to Quick Collection
All 4 Results
Showing items 1 - 4 of 4.
Add All Items to Quick Collection
Source: Infrared physics and technology. 2015. Vol. 71. P. 236-241
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Metal–insulator–semiconductor structures based on n-Hg1−xCdxTe (x = 0.19–0.25) were grown by molecular-beam epitaxy on the GaAs (0 1 3) substrates. Near-surface graded-gap layers with high CdTe conten
... More
Source: Opto-electronics review. 2015. Vol. 23, № 3. P. 200-207
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Studies of background donor concentration (BDC) in HgCdTe samples grown with different types of technology were performed with the use of ion milling as a means of eliminating the compensating accepto
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-д
... More
Authors:
Коханенко, Андрей Павлович |
Пчеляков, Олег Петрович |
Лошкарев, Иван Дмитриевич |
Селезнев, Владимир Александрович |
Путято, Михаил Альбертович |
Семягин, Борис Рэмович |
Преображенский, Валерий Владимирович |
Zhicuan, Niu |
Haiqiao, Ni |
Емельянов, Евгений Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 1. С. 49-54
Type: статьи в журналах
Date: 2013