Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe = Вольт-фарадные характеристики CdHgTe МДП-структур с одиночными квантовыми ямами на основе HgTe	748 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe
Title: Вольт-фарадные характеристики CdHgTe МДП-структур с одиночными квантовыми ямами на основе HgTe
Creator: Voytsekhovskiy, Alexander V.
|
Nesmelov, Sergey N.
|
Dzyadukh, Stanislav M.
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Date: 2015

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Сибирский физико-технический институт | Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т.. М. [и др.], 2015. Т. 2. С. 735-736
Language: rus