Исследуется кинетика радиационных точечных дефектов с учетом процессов их генерации, диффузионной рекомбинации и действия стоков, которыми являются межфазные границы, в многослойном TiN/SiNₓ-нанокомпозите. Для описания кинетики в нанокристаллической TiN- и аморфной SiNₓ-фазах численно решались системы балансных кинетических уравнений для абсолютных концентраций дефектов, зависящих от пространственных координат и времени, методом конечных разностей. С использованием дисклинационно-дислокационной модели структуры межфазной границы рассмотрен процесс осаждения радиационных дефектов на границы в создаваемых ими полях напряжений. Показано, что межфазные границы эффективно поглощают радиационные дефекты в составляющих фазах TiN/SiNₓ-нанокомпозита, уменьшая их количество в пространстве между ними. Подобное поведение радиационных дефектов частично раскрывает механизм радиационной стойкости в рассматриваемом классе нанокомпозитов.