Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
зарядовая нейтральность
|
дефекты
|
поверхность
Preview
Add to "Quick Collection"
Description
Size
Format
BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование
379 KB
Adobe Acrobat PDF
Read
Download
#зарядовая нейтральность
#собственный уровень зарядовой нейтральности,
#дефекты
#поверхность
#границы раздела
#легирование химическими примесями
Title
BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование
Creator
Брудный, Валентин Натанович
Date
2016
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Физический факультет
|
Журналы ТГУ
Identifier
смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 12. С. 178-181
Language
rus
Created: 05-07-2024
149 Visitors
106 Hits
48 Downloads
Физический факультет
Журналы ТГУ
BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование
^ DIV >